Дослідження, моделювання та розробка запам'ятовуючих елементів і пристроїв з руйнівним та неруйнівним зчитуванням на нанорозмірних сегнетоелектричних плівках
DSpace at NTB NTUU KPI
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Дослідження, моделювання та розробка запам'ятовуючих елементів і пристроїв з руйнівним та неруйнівним зчитуванням на нанорозмірних сегнетоелектричних плівках
|
|
| Subject |
сегнетоелектричні плівки
запам'ятовуючі елементи і пристрої технологія моделювання проектування 681.327.66 |
|
| Description |
Звіт по НДР: 123 стор., 12 табл., 68 рис., 149 джерел. Об’єкт дослідження: технологія, властивості та характеристики нанорозмірних сегнетоелектричних плівок на кремнієвих пластинах з електронними схемами, параметри, структури та технологія сегнетоелектричних запам’ятовуючих елементів та пристроїв. Метою роботи є створення та опрацювання технології виготовлення, нових технічних та технологічних принципів побудови, структур, математичних та комп’ютерних моделей та засобів проектування запам’ятовуючих елементів і пристроїв на нанорозмірних сегнетоелектричних плівках з руйнівним та неруйнівним зчитуванням для проектування та виробництва конкурентоспроможної універсальної енергонезалежної швидкодіючої електронної пам’яті. Розроблено нову технологію осадження нанорозмірних (20-50 нм) сегнетоелектричних плівок (НСП) для енергонезалежних запам’ятовуючих елементів (ЗЕ), в тому числі, метод ВЧ магнетронного розпилення із замкнутим дрейфом високоенергетичних вторинних електронів. Опрацьовано метод та засоби ВЧ плазмового розпилення монолітних керамічних мішеней на основі сполук з оксидів цирконію, титану, свинцю в напрямку зменшення товщини плівки; розроблено технологію ультразвукової обробки НСП, яка забезпечує збільшення реорієнтаційної поляризації та зменшення напруги переполяризації. Розроблено нову комп’ютерну модель ЗЕ на НСП, що реалізує покрокове інтегрування перехідних процесів як суперпозицію процесів перемикання великого числа диполів сегнетоелектрика і розраховує сумарний результат струму, напруги та заряду поляризації ЗЕ під дією імпульсів запису, зчитування та перешкод. Отримано значення параметрів ЗЕ необхідних для проектування запам’ятовуючих пристроїв та інтегральних мікросхем в SPICE. Виготовлено макетний зразок ЗЕ на НСП з покращеними параметрами та експлуатаційними характеристиками: напруга – 5 В, тривалість циклу зчитування/запису – 40/50 нс, кількість циклів запису/зчитування – 1012/1015. Розроблені технологія і моделі елементів пам’яті апробовані на підприємствах ДП НДІ Мікроприладів та Інститут Ядерних досліджень НАНУ в напрямку досягнення проектно-конструкторських норм на рівні світових, направлені на вирішення актуальної проблеми створення універсальної електронної пам’яті обчислювальних систем, а також зразків мікросхем пам’яті загального та спеціального призначення для вітчизняної промисловості. |
|
| Publisher |
Київ
Національний технічний університет України "Київський політехнічний інститут" |
|
| Contributor |
Мартинюк, Я. В.
|
|
| Date |
2013-10-10T08:19:22Z
2013-10-10T08:19:22Z 2012 |
|
| Type |
Technical Report
|
|
| Format |
123 л.
|
|
| Identifier |
КВНТД I.2 12.13.05
Д/б 2431-п Дослідження, моделювання та розробка запам'ятовуючих елементів і пристроїв з руйнівним та неруйнівним зчитуванням на нанорозмірних сегнетоелектричних плівках : звіт про НДР (заключ.) НТУУ "КПІ" ; кер. роб. Я. Мартинюк. - К., 2012. - 123 л. + CD-ROM. - Д/б №2431-п 0111U001319 http://ela.kpi.ua/handle/123456789/4311 |
|
| Language |
uk
|
|
| Rights |
Звіт захищений авторським правом. Переглянути його можливо з цього джерела з будь-якою метою, але копіювання та розповсюдження в будь-якому форматі забороняється без письмового дозволу.
|
|