ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛОС РОСТА ФОСФИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ СЕЛЕКТИВНОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ
NUBIP Library
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛОС РОСТА ФОСФИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ СЕЛЕКТИВНОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ
|
|
| Creator |
Сычикова, Я.А.
Кидалов, В.В. Сукач , Г.А. |
|
| Subject |
Наукові праці в інших (в тому числі міжнародних) виданнях
|
|
| Description |
В настоящей работе представлен метод наблюдения полос роста кристаллов InP, легированных серой, заключающийся в электрохимическом травлении образцов. В ре¬зультате на поверхности исследуемых кристаллов образуется картина концентрических тем¬ных колец шириной порядка 100 мкм, которые представляют собой места наиболее плотно¬го скопления пор. Поры прорастают в тех областях, где концентрация серы максимальна. Это свидетельствует в пользу выбранного метода для наблюдения сегрегационных явлений в кристалле, которые проявляются в виде полос роста.
|
|
| Date |
2010-08-01
|
|
| Type |
Стаття
NonPeerReviewed |
|
| Format |
application/pdf
image/gif |
|
| Identifier |
http://elibrary.nubip.edu.ua/7443/1/%D0%A1%D1%83%D0%BA%D0%B0%D1%87%2C_Sensor_Electronics_and_Microsystem_Technologies._12010.pdf
http://elibrary.nubip.edu.ua/7443/2/%D0%9E%D0%91%D0%9B%D0%9E%D0%96%D0%9A%D0%90_%D0%A1%D1%83%D0%BA%D0%B0%D1%87%2C_Sensor_Electronics_and_Microsystem_Technologies._12010..gif Сычикова, Я.А., Кидалов, В.В., Сукач , Г.А. (2010) ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛОС РОСТА ФОСФИДА ИНДИЯ МЕТОДОМ СЕЛЕКТИВНОГО ЭЛЕКТРОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ. Sensor Electronics and Microsystem Technologies (1). |
|
| Relation |
http://elibrary.nubip.edu.ua/7443/
|
|
