ЗАВИСИМОСТЬ КОНФИГУРАЦИИ ПОРИСТОГО СЛОЯ ФОСФИДА ИНДИЯ ОТ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
NUBIP Library
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
ЗАВИСИМОСТЬ КОНФИГУРАЦИИ ПОРИСТОГО СЛОЯ ФОСФИДА ИНДИЯ ОТ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА
|
|
| Creator |
Сычикова, Я.А.
Кидалов, В.В. Сукач , Г.А. |
|
| Subject |
Наукові праці в інших (в тому числі міжнародних) виданнях
|
|
| Description |
В данной работе представлены экспериментальные результаты, демон¬стрирующие влияние уровня легирования фосфида индия на формирование пористого слоя на его поверхности во время электрохимического травления. Установлено, что наиболее качественные пористые слои формируются при использовании кристаллов с концентрацией свободных носителей заряда 2,3 х 1018 см – 3. Также представлены результаты наблюдений слоистой неоднородности InP, которая объяснена с точки зрения особенности технологического процесса выращивания сильнолегированных кристаллов
|
|
| Publisher |
Сумський державний університет
|
|
| Date |
2010-09-16
|
|
| Type |
Стаття
NonPeerReviewed |
|
| Format |
application/pdf
image/jpeg |
|
| Identifier |
http://elibrary.nubip.edu.ua/7446/1/C%D1%83%D0%BA%D0%B0%D1%87_jnep_2010_V2_N4_75-81.pdf
http://elibrary.nubip.edu.ua/7446/2/%D0%9E%D0%B1%D0%BB%D0%BE%D0%B6%D0%BA%D0%B0_jnep_2010_V2_N4.jpg Сычикова, Я.А., Кидалов, В.В., Сукач , Г.А. (2010) ЗАВИСИМОСТЬ КОНФИГУРАЦИИ ПОРИСТОГО СЛОЯ ФОСФИДА ИНДИЯ ОТ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА. Журнал нано- та електронної фізики, 2 (4). |
|
| Relation |
http://elibrary.nubip.edu.ua/7446/
|
|
