Методика отримання та дослідження морфології поруватих шарів р-InP та р-GaAs
NUBIP Library
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Методика отримання та дослідження морфології поруватих шарів р-InP та р-GaAs
|
|
| Creator |
Cичікова, Я.О.
Кідалов, В.В. Сукач, Г.О. Кирилаш, О.І. |
|
| Subject |
Наукові праці в інших (в тому числі міжнародних) виданнях
|
|
| Description |
Porous layers of p-type GaAs have been obtained by a method electrochemical etchings. The methods of X-ray photoelectron spectroscopy (XPS), energy dispersive analysis of Xrays (EDAX) and diffractometer had been defined presence of oxide. For the first time by the method of photoelectrochemical etching porous layers of p-type InP with a pore size 3040 nm have been obtained, the thickness of the porous layer is 20 microns.
|
|
| Date |
2010-10-10
|
|
| Type |
Стаття
NonPeerReviewed |
|
| Format |
application/pdf
application/pdf |
|
| Identifier |
http://elibrary.nubip.edu.ua/7451/1/%D0%A1%D1%83%D0%BA%D0%B0%D1%87%2C_%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B0_%D0%B8_%D1%81%D0%B2%D1%8F%D0%B7%D1%8C_%E2%84%964%2C_2010.pdf
http://elibrary.nubip.edu.ua/7451/2/%D0%A1%D1%83%D0%BA%D0%B0%D1%87%2C_%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%B0_%D0%B8_%D1%81%D0%B2%D1%8F%D0%B7%D1%8C_%E2%84%964%2C_2010_(%D0%BE%D0%B1%D0%BB%D0%BE%D0%B6%D0%BA%D0%B0_%D0%B8_%D1%81%D0%BE%D0%B4%D0%B5%D1%80%D0%B6).pdf Cичікова, Я.О., Кідалов, В.В., Сукач, Г.О., Кирилаш, О.І. (2010) Методика отримання та дослідження морфології поруватих шарів р-InP та р-GaAs. Электроника и связь (4). |
|
| Relation |
http://elibrary.nubip.edu.ua/7451/
|
|