Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
|
|
| Creator |
Каримов, А.В.
Ёдгорова, Д.М. Саидова, Р.А. Гиясова, Ф.А. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Обнаруженный фотовольтаический эффект сопровождается сменой знака фототока при переходе из области собственного поглощения к примесному в легированной кислородом двухбазовой структуре Ag-N⁰AlGaAs-n⁺GaAs-n⁰GaInAs-Au, представляющей интерес для волоконно-оптических систем.
|
|
| Date |
2013-12-30T22:57:34Z
2013-12-30T22:57:34Z 2008 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта / А.В. Каримов, Д.М. Ёдгорова, Р.А. Саидова, Ф.А. Гиясова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 27-30. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52389 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|