Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
|
|
| Creator |
Горбань, А.Н.
Кравчина, В.В. Гомольский, Д.М. Солодовник, А.И. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Установлено, что диодные структуры с минимальным временем восстановления и максимальным коэффициентом формы тока восстановления могут быть сформированы после облучения электронами с энергией 4 МэВ и флюэнсом 6x10¹⁵ см⁻².
|
|
| Date |
2014-01-01T17:31:06Z
2014-01-01T17:31:06Z 2008 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов / А.Н. Горбань, В.В. Кравчина, Д.М. Гомольский, А.И. Солодовник // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 3. — С. 35-40. — Бібліогр.: 11 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52426 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|