Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
|
|
| Creator |
Кушниренко, В.В.
Нинидзе, Г.К. Павлюк, С.П. Савицкий, С.М. Третяк, О.В. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Предложен способ регулируемого изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диодного кристалла полупроводника под действием короткого модифицирующего импульса тока.
|
|
| Date |
2014-01-05T20:24:10Z
2014-01-05T20:24:10Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р⁺–n-диоде / В.В. Кушниренко, Г.К. Нинидзе, С.П. Павлюк, С.М. Савицкий, О.В. Третяк // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 32-35. — Бібліогр.: 9 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52645 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|