Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
|
|
| Creator |
Ткачук, А.И.
Царенко, О.Н. Рябец, С.И. Ткачук, И.Ю. Ковалёв, Ю.Г. |
|
| Subject |
Технологические процессы и оборудование
|
|
| Description |
Предложена лабораторная технология формирования поверхностно-барьерных диодов на основе эпитаксиальных гетероструктур Pb1-xSnxTe1-ySey/Pb0,8Sn0,2Te.
|
|
| Date |
2014-01-05T20:31:00Z
2014-01-05T20:31:00Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶ / А.И. Ткачук, О.Н. Царенко, С.И. Рябец, И.Ю. Ткачук, Ю.Г. Ковалёв // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 1. — С. 42-44. — Бібліогр.: 3 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52648 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|