Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
|
|
| Creator |
Круковский, С.И.
Сыворотка, Н.Я. |
|
| Subject |
Материалы
|
|
| Description |
Определены основные критерии выбора редкоземельных элементов для использования в технологии жидкофазной эпитаксии слоев GaAs с высокой подвижностыю электронов.
|
|
| Date |
2014-01-06T20:14:28Z
2014-01-06T20:14:28Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами / С.И. Круковский, Н.Я. Сыворотка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 2. — С. 47-51. — Бібліогр.: 15 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52781 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|