Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
|
|
| Creator |
Байдуллаева, А.
Борщ, В.В. Велещук, В.П. Власенко, А.И. Даулетмуратов, Б.К. Левицкий, С.Н. Мозоль, П.Е. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Формирование пленки теллура на поверхности кристалла CdTe при облучении импульсами рубинового лазера позволяет изготавливать структуры со свойством электронного переключения с памятью.
|
|
| Date |
2014-01-08T18:53:20Z
2014-01-08T18:53:20Z 2007 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью / А. Байдуллаева, В.В. Борщ, В.П. Велещук, А.И. Власенко, Б.К. Даулетмуратов, С.Н. Левицкий, П.Е. Мозоль // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 40-43. — Бібліогр.: 19 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52875 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|