Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
|
|
| Creator |
Горев, Н.Б.
Коджеспирова, И.Ф. Привалов, Е.Н. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Разброс параметров GaAs полевых транзисторов, вызванный неоднородным распределением глубоких центров, может прогнозироваться по концентрации незаполненных глубоких центров на границе "пленка-буферный слой".
|
|
| Date |
2014-01-14T22:48:05Z
2014-01-14T22:48:05Z 2006 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs / Н.Б. Горев, И.Ф. Коджеспирова, Е.Н. Привалов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 36-39. — Бібліогр.: 14 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52968 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|