Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
|
|
| Creator |
Леонов, Н.И.
Лемешевская, А.М. Дудар, Н.Л. Гетьман, С.Н. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Определены конструкция, удельное сопротивление эпитаксиальной пленки и толщина подзатворного окисла, при которых получены требуемые значения порогового напряжения транзистора.
|
|
| Date |
2014-01-14T22:56:15Z
2014-01-14T22:56:15Z 2006 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора / Н.И. Леонов, А.М. Лемешевская, Н.Л. Дудар, С.Н. Гетьман // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 45-47. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52971 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|