Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
|
|
| Creator |
Ковалюк, З.Д.
Катеринчук, В.Н. Сидор, О.Н. |
|
| Subject |
Функциональная микро- и наноэлектроника
|
|
| Description |
Показана возможность изготовления качественного фототранзистора n-p-n-типа на основе формирования двойной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел".
|
|
| Date |
2014-01-21T20:19:44Z
2014-01-21T20:19:44Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел" / З.Д. Ковалюк, В.Н. Катеринчук, О.Н. Сидор // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 1. — С. 38-40. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53524 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|