СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
Vernadsky National Library of Ukraine
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
|
|
| Creator |
Григорьянц, В.В.
Долгов, А.П. Кочмарёв, Л.Ю. Шилов, И.П. |
|
| Subject |
Технологические процессы и оборудование
|
|
| Description |
Представлены результаты разработки технологии и исследования оптических характеристик высокоапертурных ПОВ на основе SiO₂-F | SiO₂ | SiO₂-F-структур, формируемых в плазме СВЧ-разряда.
|
|
| Date |
2014-01-25T21:14:57Z
2014-01-25T21:14:57Z 2005 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов / В.В. Григорьянц, А.П. Долгов, Л.Ю. Кочмарёв, И.П. Шилов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 4 назв. — рос.
2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53682 |
|
| Language |
ru
|
|
| Relation |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
|
|
| Publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
|
|