Влияние окисления на дефектообразование в легированном кремнии
DSpace at ONEU
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Влияние окисления на дефектообразование в легированном кремнии
Вплив окислення на дефектоутворення в легованому кремнії Influence of oxidation on defect formation in doped silicon |
|
| Creator |
Кулинич, О.А.
Кулініч, О.А. Kulinich, O. |
|
| Subject |
окисление
дефект дефектообразование легированный кремний окислення дефект дефектоутворення легований кремній oxidation defect defect formation doped silicon |
|
| Description |
В монографии показано что, энергия, выделяющаяся при разрыве связей кремния и те механические напряжения, существующие на границе раздела, под действием которых также возможны разупорядочение поверхности полупроводника и образование дефектов в кремнии, вызывают изменения приповерхностных областей кремния. Морфология и закономерности формирования структуры приповерхностных областей кремния в системе Si-SiO2. Определены закономерности влияния параметров образованных сложных структур приповерхностной области кремния в структурах оксид кремния – кремний на параметры готовых приборов.
В монографії показано що, енергія, що виділяється при розриві зв'язків кремнію і ті механічні напруги, що існують на межі розділу, під дією яких також можливі разупорядочение поверхні напівпровідника та утворення дефектів у кремнії, викликають зміни у приповерхневих областей кремнію. Морфологія та закономірності формування структури приповерхневих областей кремнію в системі Si-SiO2. Визначено закономірності впливу параметрів утворених складних структур приповерхневої області кремнію в структурах оксид кремнію - кремній на параметри готових приладів. The monograph shows that the energy released by breaking silicon bonds and those stresses existing at the interface , which is also under the influence of possible disordering of the semiconductor surface and the formation of defects in silicon , cause changes of surface area silicon. Morphology and structure of surface patterns forming areas of silicon in the system Si-SiO2. The regularities of the influence of parameters of complex structures formed by the surface region of the silicon structures in silicon oxide - silicon on the parameters of the finished devices. |
|
| Date |
2014-05-13T10:45:57Z
2014-05-13T10:45:57Z 2012 |
|
| Type |
Book
|
|
| Identifier |
Кулинич О. А. Влияние окисления на дефектообразование в легированномк ремнии: монография / О. А. Кулинич, И. Р. Яцунский, В. А.Смынтына. – 2012. – 181 с.
http://dspace.oneu.edu.ua/jspui/handle/123456789/1380 |
|
| Language |
ru
|
|
| Publisher |
LAP LAMBERT Academic Publishing
|
|