Запис Детальніше

Переходные процессы в транзисторном ключе при работе на RLC нагрузку

Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Creator Гусев, В. А.
Капранов, И. Ю.
 
Date 2014-11-13T11:25:30Z
2014-11-13T11:25:30Z
2010
 
Identifier Гусев, В. А. Переходные процессы в транзисторном ключе при работе на RLC нагрузку / В. А. Гусев , И. Ю. Капранов // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – Х. : Изд-во ХНУРЭ, 2010. – Вып. 3. – С. 14-18.
http://hdl.handle.net/123456789/1527
 
Description Проводится анализ работы биполярного транзисторного ключа при работе с индуктивной нагрузкой. Рассматривается эффект вторичного пробоя в структуре транзистора. Определяются опасные режимы выключения биполярного транзистора с указанием рекомендаций по
выключению транзистора с индуктивной нагрузкой. Разрабатывается мокет для проведения неразрушающей отбраковки транзисторов при работе на индуктивную нагрузку.
 
Language ru
 
Publisher ХНУРЭ
 
Subject биполярный транзисторный ключ
индуктивная нагрузка
 
Title Переходные процессы в транзисторном ключе при работе на RLC нагрузку
 
Type Article