Возможности проведения микроволновой сканирующей дефектометрии полупроводниковых материалов и структу
Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Creator |
Мельник, С. И.
Гордиенко, Ю. Е. Слипченко, Н. И. |
|
| Date |
2015-01-19T14:08:59Z
2015-01-19T14:08:59Z 2010 |
|
| Identifier |
Мельник, С. И. Возможности проведения микроволновой сканирующей дефектометрии полупроводниковых материалов и структур / С. И. Мельник, Ю. Е. Гордиенко, Н. И. Слипченко // Функциональная компонентная база микро-, опто- и наноэлектроники : сб. науч. тр. ІІІ Междунар. науч. конф., 28 сент. – 2 окт. 2010 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2010. – С. 99-102.
http://hdl.handle.net/123456789/1799 |
|
| Description |
The problem of microwave scanning non-destructive testing semiconductors. We show that the defects can be represented by equivalent dipole sources of the field, distributed in their volume. On the basis of a given field, analytical expressions for the generalized parameters of the defect. It is shown that to determine the parameters of both local and distributed defects, it is enough to measure the additional insertion in the aperture equivalent capacitance sensor for two values of the gap between the sensor and the surface of the semiconductor.
|
|
| Language |
pl
|
|
| Publisher |
ХНУРЭ
|
|
| Subject |
пространственное разрешение
коаксиальный резонатор микроволновая сканирующая дефектометрия микроволновая дефектометрия |
|
| Title |
Возможности проведения микроволновой сканирующей дефектометрии полупроводниковых материалов и структу
|
|
| Type |
Article
|
|