Запис Детальніше

Нализ шумовых факторов полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения

Електронного архіву Харківського національного університету радіоелектроніки (Open Access Repository of KHNURE)

Переглянути архів Інформація
 
 
Поле Співвідношення
 
Creator Бородин, Б. Г.
Галат, А. Б.
Черненко, С. Ю.
 
Date 2015-01-26T13:22:21Z
2015-01-26T13:22:21Z
2010
 
Identifier Бородин, Б. Г. Анализ шумовых факторов полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения / Б. Г. Бородин, А. Б. Галат, С. Ю. Черненко // Функциональная компонентная база микро-, опто- и наноэлектроники : сб. науч. тр. ІІІ Междунар. науч. конф., 28 сент. – 2 окт. 2010 г. – Х. ; Кацивели : ХНУРЭ, 2010. – С. 294-296.
http://hdl.handle.net/123456789/1823
 
Description Factors, influencing of semiconductor detectors of an ionising radiation are analysed in the report. The analytical expressions for noise characteristics of CaTe and CaZnTe based detectors in terms of equivalent noise charge (ENC) are resulted, allowing to execute noise level calculation and optimise the configuration of such detectors.
 
Language ru
 
Publisher ХНУРЭ
 
Subject широкозонные материалы
уровень шумов
шумовые характеристики
зарядочувствительный усилитель
 
Title Нализ шумовых факторов полупроводниковых детекторов ионизирующего излучения
 
Type Article