Управління параметрами GaAs:Si-p-n-структур при гіратронному опромінюванні
Electronic Archive of Sumy State University
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Управління параметрами GaAs:Si-p-n-структур при гіратронному опромінюванні
|
|
| Creator |
Сукач, Г.О.
Кідалов, В.В. |
|
| Subject |
гіратронне опромінювання
світловипромінюючі структури домішки управління станом p-n-переходу термо-пружні напруги |
|
| Description |
Показано, що за допомогою гіратронного опромінення можливо управлінням становищем р-п переходу у вже виготовленій світловипромінюючій структурі. Зрушення компенсованої області випромінюючої структури на основі GaAs:Si, обумовлене рухом домішок у полі термопружних напруг, що з'являються в процесі охолодження зразків після гіратронного опромінення. При цитуванні документа, використовуйте посилання http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/23777 |
|
| Publisher |
Видавництво СумДУ
|
|
| Date |
2012-01-20T12:36:35Z
2012-01-20T12:36:35Z 2011 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Г.О. Сукач, В.В. Кідалов, Ж. нано- електрон. фіз. 3 №4, 138 (2011)
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/23777 |
|
| Language |
uk
|
|