Перетворювач температури на основі IGBT-BJT структури з від’ємним опором
Репозитарій Вінницького Національного Технічного Університету
Переглянути архів Інформація| Поле | Співвідношення | |
| Title |
Перетворювач температури на основі IGBT-BJT структури з від’ємним опором
|
|
| Creator |
Осадчук, В. С.
Осадчук, О. В. Барабан, С. В. |
|
| Subject |
біполярний транзистор з польовим керуванням
піроелектрик перетворювач температури від'ємний опір датчик потужності випромінювання |
|
| Description |
У цій статті проаналізовано сучасний стан розвитку перетворювачів температури на основі піроелектриків. Представлено і описано новий перетворювач температури на основі транзисторної структури з від’ємним опором. Змодельовано вольт-амперну і частотну характеристики представленого пристрою в програмному середовищі Pspice.
|
|
| Date |
2015-12-07T12:29:10Z
2015-12-07T12:29:10Z 2009-03 |
|
| Type |
Article
|
|
| Identifier |
Осадчук В. С. Перетворювач температури на основі IGBT-BJT структури з від’ємним опором [Електронний ресурс] / В. С. Осадчук, О. В. Осадчук, С. В. Барабан // Наукові праці Вінницького національного технічного університету. - 2009. - № 2. - Режим доступу : http://praci.vntu.edu.ua/index.php/praci/article/view/135/134.
2307-5376 http://ir.lib.vntu.edu.ua/handle/123456789/2515 621.382: 681.586.776 |
|
| Language |
uk_UA
|
|
| Publisher |
ВНТУ
|
|